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晶體管 MCH6341-TL-E FET

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產品信息

MCH6341-TL-E介紹：

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 -

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態 Digi-Key 停止供應

FET 類型 P 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 5A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） -

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 10nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 430pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 59 毫歐 @ 3A，10V

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 6-MCPH

封裝/外殼 6-SMD，扁平引線

比電子管可靠100倍，耐沖擊、耐振動，這都是電子管所無法比擬的。另外，晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一，放熱很少，可用于設計小型、復雜、可靠的電路。晶體管的制造工藝雖然精密，但工序簡便，有利于提高元器件的安裝密度。

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