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晶體管 FCH76N60N FET

類型：
分立半導體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

FCH76N60N介紹：

類別分立半導體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 SupreMOS??

包裝 ? 管件 ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 600V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 76A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 285nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 12385pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 543W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 36 毫歐 @ 38A，10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型通孔

供應商器件封裝 TO-247-3

封裝/外殼 TO-247-3

晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關速度可以非常快，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。

公司介紹

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