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晶體管 FDPF3N50NZ FET

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產品信息

FDPF3N50NZ介紹：

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 UniFET-II??

包裝 ? 管件 ?

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 500V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 3A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 9nC @ 10V

Vgs（最大值） ±25V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 280pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 27W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 2.5 歐姆 @ 1.5A，10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型通孔

供應商器件封裝 TO-220F

封裝/外殼 TO-220-3 整包

他們在發射極和基極之間輸入一個弱信號，在集電極和基極之間的輸出端，就放大為一個強信號了。在現代電子產品中，上述晶體三極管的放大效應得到廣泛的應用。

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