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晶體管 IRLR2905TRPBF FET

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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IRLR2905TRPBF介紹：

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET?

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 55V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 42A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 48nC @ 5V

Vgs（最大值） ±16V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1700pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 110W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 27 毫歐 @ 25A，10V

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 D-Pak

封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

僅為電子管的十分之一或幾十分之一。它不像電子管那樣需要加熱燈絲以產(chǎn)生自由電子。一臺晶體管收音機(jī)只要幾節(jié)干電池就可以半年一年地聽下去，這對電子管收音機(jī)來說，是難以做到的。

公司介紹

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晶體管 IRLR2905TRPBF FET

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