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晶體管 RRQ030P03TR MOSFET

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產品信息

RRQ030P03TR介紹：

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Rohm SemIConductor

系列 -

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態不適用於新設計

FET 類型 P 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 3A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 12nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 480pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 600mW（Ta）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 75 毫歐 @ 3A，10V

工作溫度 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 TSMT6（SC-95）

封裝/外殼 SOT-23-6 細型，TSOT-23-6

MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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