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晶體管 FDD3706 FET

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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FDD3706介紹：

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 PowerTrench?

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 20V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 14.7A（Ta），50A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±12V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1882pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），44W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 9 毫歐 @ 16.2A，10V

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 D-PAK（TO-252AA）

封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發(fā)射極到集電極之間，產(chǎn)生大電流；在場效應(yīng)晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。

公司介紹

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晶體管 FDD3706 FET

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