R5007ANJ介紹:
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Rohm SemIConductor
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 不適用於新設(shè)計
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 7A(Ta)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 500pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 40W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 1.05 歐姆 @ 3.5A,10V
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 LPTS
封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
MOSFET依照其"通道"(工作載流子)的極性不同,可分為"N型"與"P型" 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。