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晶體管 MMBFJ113 JFET

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產品信息

MMBFJ113介紹：

類別分立半導體產品

晶體管 - JFET

制造商 ON SemIConductor

系列 -

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

電壓 - 擊穿（V（BR）GSS） 35V

不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss） 2mA @ 15V

不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關） 500mV @ 1μA

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） -

電阻 - RDS（開） 100 Ohms

功率 - 最大值 350mW

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商器件封裝 SOT-23-3

基本零件編號 MBFJ113

通過改變外加PN結的反向偏置電壓，以改變PN結耗盡層的厚度，從而達到改變溝道區載流子密度以控制溝道輸出電流的目的，因此，這種場效應管也被稱為PN結型場效應晶體管，即PN JFET(PN Junction FET)，通常也稱JFET。

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