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晶體管 IRFR2905ZPBF MOSFET - 單

產品信息

IRFR2905ZPBF介紹:
類別 分立半導體產品 
晶體管 - FET,MOSFET - 單 
制造商 Infineon Technologies 
系列 HEXFET? 
包裝 ? 帶卷(TR) ? 
零件狀態 在售 
FET 類型 N 溝道 
技術 MOSFET(金屬氧化物) 
漏源電壓(Vdss) 55V 
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 42A(Tc) 
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V 
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA 
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 44nC @ 10V 
Vgs(最大值) ±20V 
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 1380pF @ 25V 
FET 功能 - 
功率耗散(最大值) 110W(Tc) 
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 14.5 毫歐 @ 36A,10V 
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ) 
安裝類型 表面貼裝 
供應商器件封裝 D-Pak 
封裝/外殼 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關,能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關速度可以非常快,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。

 
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