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晶體管 IRFS4310Z MOSFET

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產品信息

IRFS4310Z介紹：

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET?

包裝 ? 管件 ?

零件狀態不適用於新設計

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 100V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 120A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 150μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 170nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 6860pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 250W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 6 毫歐 @ 75A，10V

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 D2PAK

封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發射極到集電極之間，產生大電流；在場效應晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。

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