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晶體管 US6M2GTR FET-半導體產品

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產品信息

US6M2GTR介紹：

描述 2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標準提前期 10 周

詳細描述 Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 1.5A, 1A 1W Surface Mount TUMT6

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

制造商 Rohm SemIConductor

系列 -

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態在售

FET 類型 N 和 P 溝道

FET 功能標準

漏源電壓（Vdss） 30V，20V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 1.5A，1A

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 240 毫歐 @ 1.5A, 4.5V, 390 毫歐 @ 1A, 4.5V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 80pF @ 10V, 150pF @ 10V

功率 - 最大值 1W

工作溫度 150°C

安裝類型表面貼裝

封裝/外殼 6-SMD，扁平引線

供應商器件封裝 TUMT6

根據三極管的原理開發出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。

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