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晶體管 R6015ANZ 半導體產品

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產品信息

R6015ANZ 介紹：

描述 MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

詳細描述通孔 N 溝道 600V 15A（Tc） 110W（Tc） TO-3PF

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Rohm SemIConductor

系列 -

包裝 ? 管件 ?

零件狀態不適用於新設計

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 600V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 15A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4.15V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 50nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1700pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 110W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 300 毫歐 @ 7.5A，10V

工作溫度 150°C（TJ）

安裝類型通孔

供應商器件封裝 TO-3PF

封裝/外殼 TO-3P-3 整包

晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態下使用，晶體管內部的結構會被破壞。每種型號的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規格表或是Data Sheet得知。

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