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晶體管 NTS2101PT1G MOSFET

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產品信息

NTS2101PT1G介紹：

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 -

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態在售

FET 類型 P 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 8V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 1.4A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 6.4nC @ 5V

Vgs（最大值） ±8V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 640pF @ 8V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 290mW（Ta）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 100 毫歐 @ 1A，4.5V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 SC-70-3（SOT323）

封裝/外殼 SC-70，SOT-323

溝道的極性與其漏極（drain）與源極相同，假設漏極和源極是n型，那么溝道也會是n型。溝道形成后，金氧半場效晶體管即可讓電流通過，而依據施于柵極的電壓值不同，可由金氧半場效晶體管的溝道流過的電流大小亦會受其控制而改變。

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