IRFUC20介紹:
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Vishay SilIConix
系列 -
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 600V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 2A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 18nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),42W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 4.4 歐姆 @ 1.2A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-251AA
封裝/外殼 TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。根據三極管的原理開發出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點是柵極的內阻極高,采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件。