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半導體產品 FDMS3604S MOSFET - 陣列

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產品信息

FDMS3604S介紹：

描述 MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標準提前期 39 周

詳細描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) AsymmetrICal 30V 13A, 23A 1W Surface Mount Power56

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench?

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態在售

FET 類型 2 N 溝道（雙）非對稱型

FET 功能邏輯電平門

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 13A，23A

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 8 毫歐 @ 13A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.7V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 29nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1785pF @ 15V

功率 - 最大值 1W

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

封裝/外殼 8-PowerTDFN

供應商器件封裝 Power56

金屬氧化物半導體場效應管（英語：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），簡稱金氧半場效晶體管，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。

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