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存儲器 DS1245W-150 NVSRAM

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產品信息

DS1245W-150介紹：

描述 IC NVSRAM 1MBIT 150NS 32EDIP

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標準提前期 16 周

詳細描述 NVSRAM（非易失性 SRAM）存儲器 IC 1Mb （128K x 8）并聯 150ns 32-EDIP

類別集成電路（IC）

存儲器

制造商 Maxim Integrated

系列 -

包裝 ? 管件 ?

零件狀態在售

存儲器類型非易失

存儲器格式 NVSRAM

技術 NVSRAM（非易失性 SRAM）

存儲容量 1Mb （128K x 8）

寫周期時間 - 字，頁 150ns

訪問時間 150ns

存儲器接口并聯

電壓 - 電源 3 V ~ 3.6 V

工作溫度 0°C ~ 70°C（TA）

安裝類型通孔

封裝/外殼 32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

供應商器件封裝 32-EDIP

基本零件編號 DS1245W

PC/XT機中DRAM的刷新是利用DMA實現的。首先應用可編程定時器8253的計數器1，每隔1⒌12μs產生一次DMA請求，該請求加在DMA控制器的0通道上。當DMA控制器0通道的請求得到響應時，DMA控制器送出到刷新地址信號，對動態存儲器執行讀操作，每讀一次刷新一行。

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