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晶體管 FQD3N60CTM_WS 半導(dǎo)體產(chǎn)品

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

FQD3N60CTM_WS介紹：

描述 MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標準提前期 4 周

詳細描述表面貼裝 N 溝道 600V 2.4A（Tc） 50W（Tc） D-Pak

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 QFET?

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 600V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 2.4A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 14nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 565pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 50W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 3.4 歐姆 @ 1.2A，10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 D-Pak

封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態(tài)下使用，晶體管內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會被破壞。每種型號的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知。

公司介紹

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晶體管 FQD3N60CTM_WS 半導(dǎo)體產(chǎn)品

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