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晶體管 BSO301SP H FET

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產品信息

BSO301SP H介紹：

描述 MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 3（168 小時）

制造商標準提前期 26 周

詳細描述表面貼裝 P 溝道 30V 12.6A（Ta） 1.79W（Ta） PG-DSO-8

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS??

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態在售

FET 類型 P 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 12.6A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 136nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 5890pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.79W（Ta）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 8 毫歐 @ 14.9A，10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 PG-DSO-8

封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

無論多么優良的電子管，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術上的原因，晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進步以及多方面的改善，晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍，稱得起永久性器件的美名。

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