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晶體管 STW77N65M5 MOSFET - 單

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產品信息

STW77N65M5介紹：

描述 MOSFET N-CH 650V 69A TO-247

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標準提前期 46 周

詳細描述通孔 N 溝道 650V 69A（Tc） 400W（Tc） TO-247-3

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 STMICroelectronics

系列 MDmesh? V

包裝 ? 管件 ?

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 650V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 69A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 200nC @ 10V

Vgs（最大值） 25V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 9800pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 400W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 38 毫歐 @ 34.5A，10V

工作溫度 150°C（TJ）

安裝類型通孔

供應商器件封裝 TO-247-3

封裝/外殼 TO-247-3

MOSFET在數位電路上應用的另外一大優勢是對直流（DC）訊號而言，MOSFET的柵極端阻抗為無限大（等效于開路），也就是理論上不會有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點，而是完全由電壓控制柵極的形式。

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