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晶體管 DMN2250UFB-7B 半導體產品

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產品信息

DMN2250UFB-7B介紹：

描述 MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

詳細描述表面貼裝 N 溝道 20V 1.35A（Ta） 500mW（Ta） 3-DFN1006（1.0x0.6）

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Diodes Incorporated

系列 -

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 20V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 1.35A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 3.1nC @ 10V

Vgs（最大值） ±8V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 94pF @ 16V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 500mW（Ta）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 170 毫歐 @ 1A，4.5V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 3-DFN1006（1.0x0.6）

封裝/外殼 3-UFDFN

晶體管有三個極: 雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）; 場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。

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