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晶體管 NTGS3433T1G FET

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產品信息

NTGS3433T1G介紹：

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 -

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態在售

FET 類型 P 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 12V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 2.35A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±8V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 550pF @ 5V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 500mW（Ta）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 75 毫歐 @ 3.3A，4.5V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 6-TSOP

封裝/外殼 SOT-23-6

它屬于電壓控制型半導體器件。根據三極管的原理開發出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。

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