IRFP340介紹:
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Vishay SilIConix
系列 -
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 400V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 11A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 62nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 150W(Tc)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 550 毫歐 @ 6.6A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-247-3
封裝/外殼 TO-247-3
因?yàn)镸OSFET跟英文單字“metal(金屬)”的第一個(gè)字母M,在當(dāng)下大部分同類的組件里是不存在的。早期金氧半場(chǎng)效晶體管柵極使用金屬作為材料,但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,現(xiàn)代的金氧半場(chǎng)效晶體管柵極已用多晶硅取代了金屬。