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晶體管 FQA7N80 半導體產品

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產品信息

FQA7N80 介紹：

描述 MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標準提前期 4 周

詳細描述通孔 N 溝道 800V 7A（Tc） 198W（Tc） TO-3PN

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 QFET?

包裝 ? 管件 ?

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 800V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 7A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 35nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1680pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 198W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 1.9 歐姆 @ 3.5A，10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型通孔

供應商器件封裝 TO-3PN

封裝/外殼 TO-3P-3，SC-65-3

由于其響應速度快，準確性，晶體管可用于各種各樣的數字和模擬功能，包括放大，開關，穩壓，信號調制和振蕩器。晶體管可獨立包裝或在一個非常小的的區域，可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分。

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