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晶體管 BSS670S2L FET

類型：
分立半導體產品

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產品信息

BSS670S2L介紹：

描述 MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

詳細描述表面貼裝 N 溝道 55V 540mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS??

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 55V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 540mA（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 2.7μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 2.26nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 75pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 360mW（Ta）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 650 毫歐 @ 270mA，10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 PG-SOT23-3

封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。

公司介紹

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晶體管 BSS670S2L FET

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