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晶體管 TK5A50D(STA4,Q,M) MOSFET - 單

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產品信息

TK5A50D(STA4,Q,M)介紹：

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Toshiba SemIConductor and Storage

系列 π-MOSVII

包裝 ? 管件 ?

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 500V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 5A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4.4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 11nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 490pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 35W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 1.5 歐姆 @ 2.5A，10V

工作溫度 150°C（TJ）

安裝類型通孔

供應商器件封裝 TO-220SIS

封裝/外殼 TO-220-3 整包

晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。

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