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晶體管 FDMC5614P MOSFET

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產品信息

FDMC5614P介紹：

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 PowerTrench?

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態在售

FET 類型 P 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 60V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 5.7A（Ta），13.5A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 20nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1055pF @ 30V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），42W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 100 毫歐 @ 5.7A，10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 8-MLP（3.3x3.3）

封裝/外殼 8-PowerWDFN

而IGFET的柵極絕緣層，有可能是其他物質，而非金氧半場效晶體管使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管組件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是金氧半場效晶體管。

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