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MOSFET - 單 STY112N65M5 半導體產品

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產品信息

STY112N65M5介紹：

描述 MOSFET N-CH 650V 93A MAX247

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標準提前期 46 周

詳細描述通孔 N 溝道 650V 96A（Tc） 625W（Tc） MAX247?

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 STMICroelectronics

系列 MDmesh? V

包裝 ? 管件 ?

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 650V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 96A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 350nC @ 10V

Vgs（最大值） ±25V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 16870pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 625W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 22 毫歐 @ 47A，10V

工作溫度 150°C（TJ）

安裝類型通孔

供應商器件封裝 MAX247?

封裝/外殼 TO-247-3

今日半導體組件的材料通常以硅為首選，但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的制程，當中最著名的例如IBM使用硅與鍺的混合物所發展的硅鍺制程（SiGe process）。

安富微（深圳）商貿有限公司介紹，公司擁有一支“講誠信,有耐心，重責任，細管理，強服務，善溝通，靜精業務，富創意” 的銷售團隊.快速變化的市場環境中，我們始終秉承著“服務于客戶，讓利于客戶”的宗旨，現已發展成為國內知名，國外馳名的IC混合型電子元器件代理商。