AOWF15S60介紹:
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Alpha & Omega SemIConductor Inc.
系列 aMOS??
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 15A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 3.8V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 15.6nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 717pF @ 100V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 27.8W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 290 毫歐 @ 7.5A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-262-3 整包,I2Pak
晶體管有三個極: 雙極性晶體管的三個極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極(Base)和集電極(Collector); 場效應(yīng)晶體管的三個極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。