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晶體管 SIHB6N65E-GE3 MOSFET

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產品信息

SIHB6N65E-GE3介紹：

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay SilIConix

系列 -

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 650V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 7A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 48nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 820pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 78W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 600 毫歐 @ 3A，10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 D2PAK（TO-263）

封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

在模擬電路中，晶體管用于放大器、音頻放大器、射頻放大器、穩壓電路；在計算機電源中，主要用于開關電源。

晶體管也應用于數字電路，主要功能是當成電子開關。數字電路包括邏輯門、隨機存取內存（RAM）和微處理器。

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