RJH1CF4RDPQ-80#T2介紹:
描述 IGBT 1200V 40A 156.2W TO247
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)(MSL) 1(無限)
詳細(xì)描述 IGBT 1200V 40A 156.2W Through Hole TO-247
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT,MOSFET - 單
制造商 Renesas ElectronICs America
系列 -
零件狀態(tài) 在售
IGBT 類型 -
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 1200V
電流 - 集電極(Ic)(最大值) 40A
不同 Vge,Ic 時(shí)的 Vce(on) 2.5V @ 15V,20A
功率 - 最大值 156.2W
輸入類型 標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值 -
測(cè)試條件 -
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝 TO-247
晶體管比電子管體積小很多,需要空間比電子管小很多,電器使用晶體管可以做的很小。晶體管,本名是半導(dǎo)體三極管,是內(nèi)部含有兩個(gè)PN結(jié),外部通常為三個(gè)引出電極的半導(dǎo)體器件。