VP2206N2介紹:
描述 MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 含鉛 / 不符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 5 周
詳細描述 通孔 P 溝道 60V 750mA(Tj) 360mW(Tc) TO-39
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 MICrochip Technology
系列 -
包裝 ? 散裝 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 750mA(Tj)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 10mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 360mW(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 900 毫歐 @ 3.5A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-39
封裝/外殼 TO-205AD,TO-39-3 金屬罐
無論多么優(yōu)良的電子管,都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術(shù)上的原因,晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進步以及多方面的改善,晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍,稱得起永久性器件的美名。