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晶體管 SI4894BDY-T1-E3 MOSFET - 單

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產品信息

SI4894BDY-T1-E3介紹：

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay SilIConix

系列 TrenchFET?

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 8.9A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 38nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1580pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.4W（Ta）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 11 毫歐 @ 12A，10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 8-SO

封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

僅為電子管的十分之一或幾十分之一。它不像電子管那樣需要加熱燈絲以產生自由電子。一臺晶體管收音機只要幾節干電池就可以半年一年地聽下去，這對電子管收音機來說，是難以做到的。

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