STS1NK60Z介紹:
描述 MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-SOIC
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)(MSL) 1(無限)
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 600V 250mA(Tc) 2W(Tc) 8-SO
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 STMicroelectronics
系列 SuperMESH??
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 250mA(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 6.9nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 94pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2W(Tc)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 15 歐姆 @ 400mA,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
比電子管可靠100倍,耐沖擊、耐振動(dòng),這都是電子管所無法比擬的。另外,晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一,放熱很少,可用于設(shè)計(jì)小型、復(fù)雜、可靠的電路。晶體管的制造工藝雖然精密,但工序簡(jiǎn)便,有利于提高元器件的安裝密度。