SMP3003-DL-1E介紹:
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON SemIConductor
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 75V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 100A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 280nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 13400pF @ 20V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 90W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 8 毫歐 @ 50A,10V
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D2PAK(TO-263)
封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
無論多么優(yōu)良的電子管,都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術上的原因,晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進步以及多方面的改善,晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍,稱得起永久性器件的美名。