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MOSFET - 單 2N7008-G 半導體產品

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產品信息

2N7008-G介紹：

描述 MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標準提前期 10 周

詳細描述通孔 N 溝道 60V 230mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 MICrochip Technology

系列 -

包裝 ? 散裝 ?

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 60V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 230mA（Tj）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 50pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 7.5 歐姆 @ 500mA，10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型通孔

供應商器件封裝 TO-92-3

封裝/外殼 TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）

而IGFET的柵極絕緣層，有可能是其他物質，而非金氧半場效晶體管使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管組件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是金氧半場效晶體管。

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