FC8V33030L介紹:
描述 MOSFET 2N-CH 33V 6.5A WMINI8
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 11 周
詳細描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 33V 6.5A 1W Surface Mount WMini8-F1
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
制造商 PanasonIC Electronic Components
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 2 個 N 溝道(雙)
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓(Vdss) 33V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 6.5A
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 20 毫歐 @ 3.3A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 480μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 3.8nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 360pF @ 10V 功率 - 最大值 1W
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SMD,扁平引線
供應商器件封裝 W迷你型8-F1
場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換.常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換.場效應管可以用作可變電阻.場效應管可以方便地用作恒流源.