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存儲器 M34F04-WMN6TP EEPROM

產品信息

M34F04-WMN6TP介紹:
描述 IC EEPROM 4KBIT 400KHZ 8SO
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 3(168 小時)
制造商標準提前期 21 周
詳細描述 EEPROM 存儲器 IC 4Kb (512 x 8) I2C 400kHz 900ns 8-SO
類別 集成電路(IC)
存儲器
制造商 STMicroelectronics
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
存儲器類型 非易失
存儲器格式 EEPROM
技術 EEPROM
存儲容量 4Kb (512 x 8)
時鐘頻率 400kHz
寫周期時間 - 字,頁 5ms
訪問時間 900ns
存儲器接口 I2C
電壓 - 電源 2.5 V ~ 5.5 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝 8-SO
基本零件編號 M34F04


PROM的特性和ROM相同,但是其成本比ROM高,而且寫入資料的速度比ROM的量產速度要慢,一般只適用于少量需求的場合或是ROM量產前的驗證。

 
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