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晶體管 RFD12N06RLE MOSFET

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

RFD12N06RLE介紹：

描述 MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 4 周

詳細(xì)描述表面貼裝 N 溝道 60V 18A（Tc） 49W（Tc） TO-252AA

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 UltraFET??

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 60V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 18A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值） 15nC @ 10V

Vgs（最大值） ±16V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 485pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 49W（Tc）

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 63 毫歐 @ 18A，10V

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 TO-252AA

封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會(huì)使得發(fā)射極到集電極之間，產(chǎn)生大電流；在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，在柵極施加小電壓，來(lái)控制源極和泄極之間的電流。

公司介紹

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晶體管 RFD12N06RLE MOSFET

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