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晶體管 H7N1002LS-E MOSFET

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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H7N1002LS-E介紹：

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Renesas ElectronICs America

系列 -

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 100V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 75A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） -

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值） 155nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 9700pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 100W（Tc）

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 10 毫歐 @ 37.5A，10V

工作溫度 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 4-LDPAK

封裝/外殼 SC-83

金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管依照其“溝道”極性的不同，可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常被稱為N型金氧半場效晶體管（NMOSFET）與P型金氧半場效晶體管（PMOSFET）。

公司介紹

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晶體管 H7N1002LS-E MOSFET

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