BSC500N20NS3GATMA1介紹:
描述 MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 200V 24A(Tc) 96W(Tc) PG-TDSON-8
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 200V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 24A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 60μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 1580pF @ 100V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 96W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 50 mOhm @ 22A、 10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PG-TDSON-8
封裝/外殼 8-PowerTDFN
晶體管在電路最常用的用途應該是屬于信號放大這一方面,其次是阻抗匹配、信號轉換等,晶體管在電路中是個很重要的元件,許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。