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晶體管 APT5010B2FLLG FET

  • 類型:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

APT5010B2FLLG介紹:
描述 MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 20 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 500V 46A(Tc) 520W(Tc) T-MAX? [B2]
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 MICrosemi Corporation
系列 POWER MOS 7?
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 46A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 100 毫歐 @ 23A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 95nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 4360pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 520W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 T-MAX? [B2]
封裝/外殼 TO-247-3 變式


場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點是柵極的內(nèi)阻極高,采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件。
 
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