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晶體管 SI2306BDS-T1-E3 MOSFET - 單

產品信息

SI2306BDS-T1-E3介紹:
描述 MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 3.16A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Vishay SilIConix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 3.16A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 47 毫歐 @ 3.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 4.5nC @ 5V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 305pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 750mW(Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SOT-23-3(TO-236)
封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


無論多么優(yōu)良的電子管,都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術上的原因,晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進步以及多方面的改善,晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍,稱得起永久性器件的美名。

 
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公司介紹

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