FDMA2002NZ介紹:
描述 MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6-MICROFET
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 39 周
詳細(xì)描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 650mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 2 個 N 溝道(雙)
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 2.9A
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 123 毫歐 @ 2.9A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 3nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 220pF @ 15V 功率 - 最大值 650mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-VDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝 6-MicroFET(2x2)
以金氧半場效晶體管(MOSFET)的命名來看,事實(shí)上會讓人得到錯誤的印象。因?yàn)镸OSFET跟英文單字“metal(金屬)”的第一個字母M,在當(dāng)下大部分同類的組件里是不存在的。