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晶體管 BSZ097N04LSGATMA1 MOSFET - 單

  • 類型:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

BSZ097N04LSGATMA1介紹:
描述 MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 40V 12A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),35W(Tc) PG-TSDSON-8
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 12A(Ta),40A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 9.7 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 14μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 24nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),35W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PG-TSDSON-8
封裝/外殼 8-PowerTDFN


晶體管在電路最常用的用途應(yīng)該是屬于信號放大這一方面,其次是阻抗匹配、信號轉(zhuǎn)換等,晶體管在電路中是個很重要的元件,
 
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