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晶體管 IPP60R040 MOSFET

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

IPP60R040介紹：

描述 MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3

對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無限）

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 22 周

詳細(xì)描述通孔 N 溝道 600V 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO220-3-1

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 CoolMOS? C7

包裝 ? 管件 ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 600V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 50A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 40 毫歐 @ 24.9A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1.24mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值） 107nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 4340pF @ 400V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 227W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型通孔

供應(yīng)商器件封裝 PG-TO220-3-1

封裝/外殼 TO-220-3

比電子管可靠100倍，耐沖擊、耐振動(dòng)，這都是電子管所無法比擬的。另外，晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一，放熱很少，可用于設(shè)計(jì)小型、復(fù)雜、可靠的電路。晶體管的制造工藝雖然精密，但工序簡(jiǎn)便，有利于提高元器件的安裝密度。

公司介紹

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晶體管 IPP60R040 MOSFET

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