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晶體管 IRFD120PBF 半導體產(chǎn)品

類型：
分立半導體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

IRFD120PBF介紹：

描述 MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標準提前期 16 周

詳細描述通孔 N 溝道 100V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP

類別分立半導體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay SilIConix

系列 -

包裝 ? 管件 ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 100V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 1.3A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 270 毫歐 @ 780mA，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 16nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型通孔

供應商器件封裝 4-DIP，Hexdip，HVMDIP

封裝/外殼 4-DIP（0.300"，7.62mm）

晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態(tài)下使用，晶體管內(nèi)部的結構會被破壞。每種型號的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知。

公司介紹

安富微（深圳）商貿(mào)有限公司介紹，公司擁有一支“講誠信,有耐心，重責任，細管理，強服務，善溝通，靜精業(yè)務，富創(chuàng)意” 的銷售團隊.快速變化的市場環(huán)境中，我們始終秉承著“服務于客戶，讓利于客戶”的宗旨，現(xiàn)已發(fā)展成為國內(nèi)知名，國外馳名的IC混合型電子元器件代理商。

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晶體管 IRFD120PBF 半導體產(chǎn)品

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