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晶體管 TN2501N8-G FET

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產品信息

TN2501N8-G介紹：

描述 MOSFET N-CH 18V 400MA SOT89-3

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

詳細描述表面貼裝 N 溝道 18V 400mA（Tj） 1.6W（Tc） TO-243AA（SOT-89）

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 MICrochip Technology

系列 -

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 18V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 400mA（Tj）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，3V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 2.5 歐姆 @ 200mA，3V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 110pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.6W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 TO-243AA（SOT-89）

封裝/外殼 TO-243AA

判定柵極G:將萬用表撥至R×1k檔，用萬用表的負極任意接一電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個極，測其電阻.若兩次測得的電阻值近似相等，則負表筆所接觸的為柵極，另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換。

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