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晶體管 STU10N60M2 半導體產品

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產品信息

STU10N60M2介紹：

描述 MOSFET N-CH 600V IPAK

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

詳細描述通孔 N 溝道 600V 7.5A（Tc） 85W（Tc） I-PAK

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 STMICroelectronics

系列 MDmesh? II Plus

包裝 ? 管件 ?

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 600V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 7.5A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 600 毫歐 @ 3A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 13.5nC @ 10V

Vgs（最大值） ±25V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 400pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 85W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型通孔

供應商器件封裝 I-PAK

封裝/外殼 TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

場效應晶體管（field effect transistor）利用場效應原理工作的晶體管。英文簡稱FET。場效應就是改變外加垂直于半導體表面上電場的方向或大小，以控制半導體導電層（溝道）中多數載流子的密度或類型。

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