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晶體管 RN1110MFV 預偏置

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產品信息

RN1110MFV介紹：

描述 TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標準提前期 16 周

詳細描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM

類別分立半導體產品

晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置

制造商 Toshiba SemIConductor and Storage

系列 -

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態在售

晶體管類型 NPN - 預偏壓

電流 - 集電極（Ic）（最大值） 100mA

電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V

電阻器 - 基底（R1） 4.7 kOhms

不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 120 @ 1mA，5V

不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值） 300mV @ 500μA，5mA

電流 - 集電極截止（最大值） 100nA（ICBO）

功率 - 最大值 150mW

安裝類型表面貼裝

封裝/外殼 SOT-723

供應商器件封裝 VESM

理論上和實際證明，不同種類的晶體管可以在低于1伏到上千伏電壓下工作，而電子管的第二電源（乙電）最低也要數伏，最高也就1000多伏，所以晶體管能被用在更廣泛的電路中，使其他優勢得以發揮。

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