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晶體管 RSD220N06TL MOSFET

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產品信息

RSD220N06TL介紹：

描述 MOSFET N-CH 60V 22A SOT428

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

詳細描述表面貼裝 N 溝道 60V 22A（Ta） 20W（Ta） CPT3

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Rohm SemIConductor

系列 -

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態不適用於新設計

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 60V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 22A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） -

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） -

Vgs（最大值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 20W（Ta）

工作溫度 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 CPT3

封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

溝道的極性與其漏極（drain）與源極相同，假設漏極和源極是n型，那么溝道也會是n型。溝道形成后，金氧半場效晶體管即可讓電流通過，而依據施于柵極的電壓值不同，可由金氧半場效晶體管的溝道流過的電流大小亦會受其控制而改變。

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